英集芯推出六款磷酸铁锂充电宝升降压解决方案

英集芯现已基于IP5385设计了一个主流移动电源配置样板，得益于这颗高集成度SoC芯片，DEMO板可配置1C2A1L1M五个接口，不仅兼容经典QCPG电子游戏官网、PD等快充协议，目前热门的UFCS融合快充也支持，在新兴起的市场中为客户的产品建立优势。

意法半导体推出3款基于VIPerGaN的快充解决方案

VIPerGaN是一款高集成的氮化镓芯片，拥有先进的PWM控制器和650V GaN 功率管，集成了高压启动功能、空载损耗小于30mW、自适应动态消隐时间和可调整的谷底同步、自适应打嗝模式等，还拥有完善的保护功能，开关频率高达240kHz。是一颗高效率、高功率密度的芯片，采用QFN5x6封装工艺，有效优化PCB板的布局空间和减少外围元器件，获得更好的EMI表现，该方案在满足能效要求的同时还拥有较低的 BoM 费用，十分适合充电器及适配器、家电、空调、消费品等领域的PG电子游戏官网厂商应用。

智享生活 离不开电源管理ic U2281

● 启动和工作电流 ● 集成抖频功能优化EMI ● 集成内部斜率补偿的电流模式控制 ● 集成线电压和电感量补偿的恒流技术 ● 集成自恢复模式的保护功能： VDD欠压保护（UVLO） VDD过压保护 （OVP） CS管脚开路保护 电源管理 ic U2281 常应用于数码相机充电器、手机充电器、蓄电池充电器等领域，通常被用于控制、调节和监控电源输出，以实现更高效、更可靠的系统运行。可以作为 ob2263 的替代， SOT23-6 封装，引脚名称如下： 3脚是FB反馈引脚。

GaN功率器件的分类、集成、封装解决方案

有直接驱动功能以及驱动器和保护电路。功率集成电路（IC） 的原理图如图3c所示。栅极驱动器的一个关键特性是在硬开关瞬态期间控制转换速率。与功能直接驱动解决方案相关的保护电路可以提高集成 GaN 共源共栅器件的可靠性。 意法半导体开发出“MasterGaN”器件，这是一个集成平台（系统级封装，SiP） ，嵌入了硅技术半桥驱动器和两个开关脚配置的e 型 GaN 晶体管（图 6d） 。目前，集成开关脚 MasterGan1 的电压为 600 V，漏极电流为 10 A（25°C） 。

拆解报告：龙威盛20000mAh磁吸无线充移动电源

、 ，另外英集芯的高集成移动电源SoC芯片还被 、 、 等知名品牌的众多产品采用。 用于同步升降压电路的四颗MOS管来自新洁能，型号NCEP4090GU，NMOS，耐压40V，导阻2.2mΩ，采用DFN5*6封装。 另外两颗同步升降压开关管型号相同。 用于100W同步升降压的磁环电感采用双线绕制，底部垫青稞纸绝缘。 另一路IP5389用于45W USB-C接口双向快充。